一、本系統(tǒng)包含集成電路教師機(jī)系統(tǒng)1套、多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)（產(chǎn)業(yè)版）6套、實(shí)驗(yàn)用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀（產(chǎn)業(yè)版）6套、基礎(chǔ)數(shù)據(jù)通信板卡（產(chǎn)業(yè)版）6套、源測試單元（SMU）板卡（產(chǎn)業(yè)版）12套、封裝線實(shí)景操作板卡（產(chǎn)業(yè)版）6套、VR頭戴式設(shè)備套裝及高性能模塊6套、VR定位器套裝4套、虛實(shí)聯(lián)動(dòng)系統(tǒng)顯示設(shè)備6套。 二、集成電路基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)： 1.集成電路基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)需包含微納電子器件教學(xué)套件和集成電路工藝教學(xué)套件各一套。 2.微納電子器件教學(xué)套件需包含實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)、USB線、T型轉(zhuǎn)接頭和BNC纜線，主要用于微納電子器件實(shí)驗(yàn)。 ★3. 微納電子器件教學(xué)套件實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)需包含Power，Communication，Device和Environment指示燈；需包含Test，Model，Teach和Data功能選擇按鈕；需至少包含如下20個(gè)器件選擇按鈕：NMOS 0.18um，LDMOS，PDSOI，BJT NPN，Diode，Resistor，Capacitor，Varactor，JFET，TFT，SRAM，RO，28nmNMOS，FinFET，FDSOI，GaN，Custom-1,Custom-2，Custom-3，Custom-4；需包含一塊32乘8點(diǎn)陣屏；需至少包含5個(gè)器件管腳BNC接口，9個(gè)測試設(shè)備BNC接口，19個(gè)接口指示燈；需至少包含如下3個(gè)測試環(huán)境旋鈕：Temperature，Reliability&Time，Radiation。（證明材料：需提供包含上述全部內(nèi)容的實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)實(shí)物照片） 4.微納電子器件教學(xué)套件需能模擬真實(shí)器件測量過程，學(xué)習(xí)器件物理和環(huán)境因素的影響；需支持選擇測量曲線類型包括：I_V和C_V；需支持編寫測量腳本、改變器件參數(shù)、測量數(shù)據(jù)保存；需模擬的測試儀器包括：半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，包含源測量單元（SMU）和電容電壓單元（LCR)；需支持器件測量儀器端口相關(guān)線纜的實(shí)操連接；需模擬的測試環(huán)境包括：測量溫度，測量時(shí)間（用于可靠性測試如HCI，NBTI等）及輻照劑量（用于模擬器件在空間應(yīng)用的相關(guān)特性）。 5.微納電子器件教學(xué)套件需包含微納電子器件實(shí)驗(yàn)課程的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書和實(shí)驗(yàn)答案，至少包括：1：器件測量設(shè)備及其原理；2：器件測試腳本語法分析與實(shí)驗(yàn)；3：二極管IV特性測量實(shí)驗(yàn)；4：二極管CV特性測量實(shí)驗(yàn)；5：BJT輸入特性測量實(shí)驗(yàn)；6：BJT輸出特性測量實(shí)驗(yàn)；7：半導(dǎo)體擴(kuò)散電阻測量實(shí)驗(yàn)；8：JFET轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn)；9：JFET輸出特性測量實(shí)驗(yàn)；10：JFET柵電流特性測量實(shí)驗(yàn)；11：TFT轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn)；12：TFT輸出特性測量實(shí)驗(yàn)；13：半導(dǎo)體電容器CV測量實(shí)驗(yàn)；14：MOS變?nèi)萜?span lang="EN-US">CV特性測量實(shí)驗(yàn)；15：180nmNMOS轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn)；16：180nmNMOS輸出特性測量；17：180nmNMOS襯偏特性測量實(shí)驗(yàn)；18：180nmNMOS襯底電流測量；19：180nmNMOS電容特性測量實(shí)驗(yàn)；20：SRAM存儲(chǔ)器測量實(shí)驗(yàn)；21：環(huán)形振蕩器測量實(shí)驗(yàn)；22：FDSOI轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn)；23：FDSOI輸出特性測量實(shí)驗(yàn)；24：PDSOI轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn)；25：PDSOI輸出特性測量實(shí)驗(yàn)；26：PDSOI柵電容測量實(shí)驗(yàn)；27：PDSOI溝道電容測量實(shí)驗(yàn)；28：28nmNMOS轉(zhuǎn)移特性測量；29：28nmNMOS輸出特性測量；30：28nmNMOS柵電流特性測量；31：28nmNMOS襯底偏置特性測量；32：28nmNMOS襯底電流測；33：28nmNMOS DIBL特性測量；34：28nmNMOS電容特性測量實(shí)驗(yàn)；35：FinFET轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn)；36：FinFET輸出特性測量實(shí)驗(yàn)；37：FinFET Isub和Ig特性測量實(shí)驗(yàn)；38：GaN轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn)；39：GaN輸出特性測量實(shí)驗(yàn)；40：LDMOS轉(zhuǎn)移特性測量實(shí)驗(yàn)；41：LDMOS輸出特性測量實(shí)驗(yàn)；42：LDMOS電容特性測量實(shí)驗(yàn)。 6.集成電路工藝教學(xué)套件需包含實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)、USB線和BNC纜線，主要用于集成電路工藝實(shí)驗(yàn)。 ★7.集成電路工藝教學(xué)套件需包含Power，Communication，Button和Screen指示燈；需包含Process，Layout，Teach和Test功能選擇按鈕；需至少包含如下8個(gè)單步工藝選擇按鈕：Oxidation，Deposit，Lithography，Etch，Implant，Anneal，Diffuse，Epitaxy；需至少包含如下12個(gè)器件成套工藝選擇按鈕：MOSFET，SOI，Diode，BJT，FinFET，Resistor，Varactor，LDMOS，JFET，GaAs，Custom，VR-Process；需包含一塊可觸控液晶屏輸入顯示區(qū)；需至少包含5個(gè)器件管腳BNC接口，10個(gè)接口指示燈。（證明材料：需提供包含上述全部內(nèi)容的實(shí)驗(yàn)箱主機(jī)實(shí)物照片） 8.集成電路工藝教學(xué)套件需能模擬真實(shí)器件制造工藝，學(xué)習(xí)工藝參數(shù)對(duì)器件的影響，支持器件剖面結(jié)構(gòu)及其組成材料的縮放；支持摻雜、電勢等參數(shù)的色階圖顯示；支持器件結(jié)構(gòu)中各個(gè)材料的網(wǎng)格顯示；支持器件中的摻雜、電勢等參數(shù)的提取和保存；支持完整器件的成套工藝和完整工序步驟。 9.集成電路工藝教學(xué)套件需包含集成電路工藝實(shí)驗(yàn)課程的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書和實(shí)驗(yàn)答案，至少包括：1：干氧氧化工藝實(shí)驗(yàn)；2：濕氧氧化工藝實(shí)驗(yàn)；3：離子注入的深度與能量關(guān)系實(shí)驗(yàn)；4：離子注入的劑量與摻雜濃度關(guān)系實(shí)驗(yàn)；5：離子注入的角度影響實(shí)驗(yàn)；6：擴(kuò)散工藝時(shí)間對(duì)摻雜濃度的影響實(shí)驗(yàn)；7：擴(kuò)散工藝溫度對(duì)摻雜濃度的影響實(shí)驗(yàn)；8：二極管制造實(shí)驗(yàn)；9：集成電路電阻制造實(shí)驗(yàn)；10：MOSFET制造實(shí)驗(yàn)；11：變?nèi)莨苤圃鞂?shí)驗(yàn)；12：SOI制造實(shí)驗(yàn)；13：FinFET制造實(shí)驗(yàn)；14：三極管制造實(shí)驗(yàn)；15：LDMOS制造實(shí)驗(yàn)；16：JFET制造實(shí)驗(yàn)；17：GaAs制造實(shí)驗(yàn) 三、多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)（產(chǎn)業(yè)版） 1.平臺(tái)是實(shí)驗(yàn)主控平臺(tái)，主要完成各類實(shí)驗(yàn)的設(shè)計(jì)，同時(shí)也是所有實(shí)驗(yàn)功能硬件板卡的承載基臺(tái)。 2.平臺(tái)尺寸不小于355mm x 360mm x 148mm。 ★3. 平臺(tái)包含至少60種功能按鍵，其中：至少包括如下主功能按鍵16種：Layout Design, Process Simu, Process Device, Device Testing, Device Model, Circuit Testing, AI, Analog Design, Digital Design, Process Design, Process VR, Package VR, Testing VR, Equip VR, Process Teach, Device Teach；至少包括如下工藝功能按鍵8種：Oxide，Deposit PVD CVD，Litho EUV，Etch CMP RIE，Implant，Anneal RTA，Diffuse，Epitaxy VPE MBE；至少包括如下器件功能按鍵12種：Diode，BJT NPN PNP，MOSFET NMOS PMOS，JFET，MESFET，MODFET HEMT，SOI，FINFET，TFT，Resistor，CAP，Inductor；至少包括如下電路功能按鍵15種：Adder Circuit，NAND/NOR/XOR，Filter Circuit，Memory，Register Circuit，Control Circuit，Inverter，Feedback Circuit，Single Stage Amplifier，Current Source，Voltage Source，Complex Voltage Source，Ideal Amplifier，OP Amplifier，Cascade Amplifier；至少包括如下人工智能功能按鍵8種：Gaussian Process，Deep Learning，KNN，SVM，Neural Network，Random Forest，Poly Fit，Diff Evolution。（證明材料：需提供包含上述功能按鍵要求的平臺(tái)實(shí)物照片） ★4. 平臺(tái)可容納不少于14通道的實(shí)驗(yàn)功能硬件板卡承載要求，并且，每個(gè)通道的接口要求均需符合PCIex16標(biāo)準(zhǔn)。（證明材料：需提供平臺(tái)機(jī)箱內(nèi)部包含不少于14通道的滿足PCIex16標(biāo)準(zhǔn)的主板照片） 5. 平臺(tái)設(shè)計(jì)區(qū)窗口需為可觸控液晶屏，可觸控區(qū)域不小于153mm x 87mm。 6. 平臺(tái)需配備手寫筆和電源線。 四、實(shí)驗(yàn)用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀（產(chǎn)業(yè)版） 1. 參數(shù)分析儀是實(shí)驗(yàn)測量平臺(tái)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果展示平臺(tái)，同時(shí)也是各測試硬件板卡的承載基臺(tái)，以及實(shí)驗(yàn)軟件的承載基臺(tái)。 2. 參數(shù)分析儀尺寸不小于428mm x 477mm x 223 mm。 3. 參數(shù)分析儀可容納至少7通道測試板卡的承載要求，可承載的測試板卡種類需包括：源測試單元（SMU）板卡和LCR測試單元板卡。 4. 參數(shù)分析儀需包含機(jī)箱溫度監(jiān)測模塊，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測機(jī)箱溫度，并且根據(jù)機(jī)箱溫度動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)散熱情況。 5. 參數(shù)分析儀顯示區(qū)需為可觸控液晶屏，可觸控區(qū)域不小于294mm x 167mm。 6. 參數(shù)分析儀前面板需包含至少兩路USB接口和1個(gè)電源開關(guān)。 7. 參數(shù)分析儀后部需至少包含如下接口：1路電源接口，6路預(yù)留COM口，2路網(wǎng)口，還需包含VGA、HDMI等常用輸出端口。 ★8. 參數(shù)分析儀內(nèi)部需預(yù)置半導(dǎo)體參數(shù)分析儀配套功能軟件，該軟件需至少具有如下功能：器件測試設(shè)置，電路測試設(shè)置，器件建模配置，器件連接設(shè)置，電路連接設(shè)置，工藝與聯(lián)動(dòng)配置，數(shù)據(jù)輸入，器件教學(xué)，工藝教學(xué)，工藝仿真，器件測試，電路測試，訓(xùn)練，預(yù)測，優(yōu)化，版圖設(shè)計(jì)，工藝實(shí)訓(xùn)（VR版），工藝實(shí)訓(xùn)（PC版），測試實(shí)訓(xùn)（VR版），測試實(shí)訓(xùn)（PC版），封裝實(shí)訓(xùn)（VR版），封裝實(shí)訓(xùn)（PC版），設(shè)備實(shí)訓(xùn)（VR版），設(shè)備實(shí)訓(xùn)（PC版），至少11種分析功能，至少3種輸出功能和至少3種資源功能，需配備數(shù)據(jù)區(qū)、圖像區(qū)、圖像調(diào)節(jié)區(qū)、參數(shù)選擇區(qū)等多個(gè)測試結(jié)果顯示和調(diào)節(jié)方式。并需顯示如下課程的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書等教學(xué)材料，包括：器件實(shí)驗(yàn)、工藝實(shí)驗(yàn)、版圖設(shè)計(jì)、模擬設(shè)計(jì)、數(shù)字設(shè)計(jì)、電路測試、器件建模、人工智能、工藝設(shè)計(jì)、制備聯(lián)動(dòng)、器件教學(xué)、工藝教學(xué)、測試實(shí)操、制備實(shí)操、封裝實(shí)操、設(shè)備實(shí)操。（證明材料：需提供包含上述功能的軟件截圖） 五、基礎(chǔ)數(shù)據(jù)通信板卡（產(chǎn)業(yè)版） 1. 基礎(chǔ)數(shù)據(jù)通信板卡用于完成多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺(tái)和實(shí)驗(yàn)用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀間的信號(hào)傳輸和數(shù)據(jù)通訊。 2. 板卡尺寸不小于190mm x 97mm。 3. 板卡的接口需滿足PCIex16設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。 ★4. 為了滿足運(yùn)算IO、算力和性能要求，板卡主控芯片的管腳數(shù)至少為240個(gè)。（證明材料：需提供包含至少240個(gè)管腳的主控芯片的板卡實(shí)物照片） 5. 板卡輸出接口需為VGA15Pin標(biāo)準(zhǔn)接口，該接口與源測試單元（SMU）板卡的PA Ctrl的端口需能相連通，完成數(shù)據(jù)通訊和傳輸功能，同時(shí)，還需支持與遠(yuǎn)程前置放大器的Communication端口相連通，完成高精度測試對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)通訊和傳輸功能。 6. 板卡還需配備至少1條數(shù)據(jù)線。 六、源測試單元（SMU）板卡（產(chǎn)業(yè)版） 1. 源測試單元（SMU）板卡用于完成標(biāo)準(zhǔn)源測試單元（Source Measure Unit）的測量功能。 2. 板卡尺寸不小于190mmx97mm 3. 板卡的接口需滿足PCIex4設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。 4. 板卡輸出接口需為標(biāo)準(zhǔn)3路射頻輸出口和1路遠(yuǎn)程前置放大器放大接口，配合半導(dǎo)體參數(shù)分析儀配套功能軟件使用，需能夠完成1通道SMU的測試功能，包括1路Force端（供電端），1路Low端（GND端）和1路Sense端（測試端）。 5. 配合半導(dǎo)體參數(shù)分析儀配套功能軟件使用，板卡的電流測試精度需至少為1nA(1e-9A)，需能夠支持配合遠(yuǎn)程前置放大器使用，提高電流測量精度至少到0.1fA(1e-16A)。 七、封裝線實(shí)景操作板卡（產(chǎn)業(yè)版） 1. 封裝線實(shí)景操作板卡主要用于封裝線實(shí)景操作VR軟件的硬件載體和必要的數(shù)據(jù)輸入輸出交互硬件平臺(tái)，是專業(yè)實(shí)習(xí)：半導(dǎo)體封裝操作專業(yè)實(shí)訓(xùn)的基本硬件組成部分。 2. 板卡尺寸不小于190mm x 97mm，接口需滿足PCIeX16設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。輸出接口需為1路VGA15Pin接口，該接口需要能與源測試單元（SMU）板卡的PA Ctrl的端口相連通，主要用于VR軟件的數(shù)據(jù)交互。 3. 板卡內(nèi)嵌封裝線實(shí)景操作VR軟件，通過VR還原真實(shí)集成電路封裝場景和操作方法。內(nèi)部場景布置需與當(dāng)前工業(yè)界封裝廠主流場景布置類似（非高校簡易布置方式），內(nèi)部包含至少20種虛擬設(shè)備，并且必須包括減薄機(jī)、貼膜機(jī)、切割機(jī)、顯微鏡、芯片粘結(jié)機(jī)、引線鍵合機(jī)、注塑機(jī)、激光打標(biāo)機(jī)、高溫箱、等離子清洗機(jī)、電鍍設(shè)備、切筋成型機(jī)，有機(jī)薄膜涂覆機(jī)，回流焊爐，倒裝芯片鍵合機(jī)、填料涂布機(jī)和植球機(jī)。每個(gè)設(shè)備均需為當(dāng)前產(chǎn)線使用的常見設(shè)備（非高校簡易設(shè)備），每個(gè)設(shè)備需提供可供用戶交互設(shè)備交互方法，總計(jì)交互步驟不少于100步。系統(tǒng)需要能夠完成至少八種封裝工藝的完整流程，且必須包含雙列直插封裝（DIP）、小外形封裝（SOP）、薄型四方扁平封裝（LQFP）、晶體管外形封裝（TO-220）、陶瓷針柵陣列封裝、細(xì)間距球柵陣列封裝、晶圓級(jí)扇入封裝、晶圓級(jí)扇出封裝的完整設(shè)備參數(shù)設(shè)置的流程和專業(yè)實(shí)習(xí)流程，總計(jì)設(shè)置步驟不少于200步，設(shè)置完成后，需要每臺(tái)設(shè)備包含與產(chǎn)線設(shè)備類似的動(dòng)畫過程（如粗減薄過程動(dòng)畫、切割過程動(dòng)畫、鍵合過程動(dòng)畫等），用戶可以在這一過程中觀察任意設(shè)備情況并且能夠查看封裝后的效果。 4. 板卡內(nèi)嵌封裝線實(shí)景操作VR軟件需能記錄學(xué)生操作，并給學(xué)生打分，完成實(shí)訓(xùn)過程考核，同時(shí)，軟件需留有可供第三方控制系統(tǒng)進(jìn)行自動(dòng)控制的接口，以便在嵌入第三方系統(tǒng)后，實(shí)現(xiàn)實(shí)訓(xùn)課程的智能跟蹤與管控，獲取和統(tǒng)計(jì)學(xué)生實(shí)時(shí)實(shí)訓(xùn)情況和過往實(shí)訓(xùn)進(jìn)度。 ★5. 板卡內(nèi)嵌專業(yè)實(shí)習(xí)：半導(dǎo)體封裝操作專業(yè)實(shí)訓(xùn)的學(xué)生用實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書和教師用教輔材料，需包含視頻和文字材料，實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書不少于100頁，教輔材料不少于100頁。教材內(nèi)容至少包括：實(shí)訓(xùn)1 半導(dǎo)體封裝基本操作教學(xué)、實(shí)訓(xùn)2 熟悉半導(dǎo)體封裝相關(guān)設(shè)備、實(shí)訓(xùn)3 雙列直插（DIP）封裝實(shí)訓(xùn)、實(shí)訓(xùn)4 細(xì)間距球柵陣列（FBGA）封裝實(shí)訓(xùn)、實(shí)訓(xùn)5 陶瓷針柵陣列（CPGA）封裝實(shí)訓(xùn)、實(shí)訓(xùn)6 晶圓級(jí)扇入（WLP-Fin In）封裝實(shí)訓(xùn)、實(shí)訓(xùn)7 晶圓級(jí)扇出（WLP-Fin Out）封裝實(shí)訓(xùn)、實(shí)訓(xùn)8 小外形（SOP）封裝實(shí)訓(xùn)、實(shí)訓(xùn)9 薄型四方扁平（LQFP）封裝綜合訓(xùn)練、實(shí)訓(xùn)10 晶體管外形（TO-220）封裝綜合訓(xùn)練。（演示視頻，提供課程目錄及相關(guān)課程演示視頓時(shí)長不超過5分鐘） 6. 板卡內(nèi)嵌專業(yè)實(shí)習(xí)：半導(dǎo)體封裝操作專業(yè)實(shí)訓(xùn)考核題，考核題不少于300個(gè)，能夠完成學(xué)生考核和打分功能，教師可以通過輸入密碼的方式獲取學(xué)生的考核結(jié)果，考核結(jié)果至少包括學(xué)生姓名、學(xué)號(hào)、考核成績、學(xué)生答題記錄與正確答案。 八、VR頭戴式設(shè)備套裝及高性能模塊 1. VR頭戴式設(shè)備套裝及高性能模塊主要包括：VR頭戴式設(shè)備套裝、VR操作控制器套裝和高性能模塊三大部分 2. VR頭戴式設(shè)備套裝是進(jìn)行虛擬現(xiàn)實(shí)實(shí)景操作類實(shí)驗(yàn)所必不可少的硬件設(shè)施，用戶可通過VR頭戴式設(shè)備觀察虛擬實(shí)景，該套裝需至少包括：1個(gè)頭戴式設(shè)備，1副耳機(jī)，1個(gè)中轉(zhuǎn)器，1個(gè)數(shù)據(jù)線，1個(gè)視頻線，1個(gè)電源線，1個(gè)投影線和1個(gè)插線板。為了讓戴眼鏡的用戶可以更加舒適的使用設(shè)備，該套裝還需至少配套6副不同度數(shù)的鏡片（200度/300度/400度/500度/600度/700度），供戴眼鏡用戶使用。 3. 該頭戴式設(shè)備至少為雙AMOLED屏幕、組合分辨率不低于2160×1200像素、單眼分辨率不低于1080×1200像素、刷新率不小于90Hz、視場角不小于110度 4. VR操作控制器套裝是進(jìn)行虛擬現(xiàn)實(shí)實(shí)景操作類實(shí)驗(yàn)所必不可少的硬件設(shè)施，用戶可通過VR操作控制器操作虛擬實(shí)景中的設(shè)備并進(jìn)行其他操作，該套裝需至少包括：手柄2個(gè)，充電頭2個(gè)，充電線2個(gè)，掛繩2個(gè)。 5. 該操作控制器需具有至少24個(gè)感應(yīng)器、具有多功能觸摸板、具有雙階段觸發(fā)器、具有高清觸覺反饋功能、需內(nèi)置可充電電池，電池容量不小于960毫安時(shí) 6. VR高性能運(yùn)算模塊是進(jìn)行虛擬現(xiàn)實(shí)實(shí)景操作類實(shí)驗(yàn)所必不可少的硬件設(shè)施，需包括高交換率主板、高速CPU、獨(dú)立顯卡和大容量內(nèi)存四項(xiàng)。 7. CPU需至少為基礎(chǔ)頻率2.9GHz，6核，6線程，智能緩存9MB、熱設(shè)計(jì)功耗65W芯片更高性能的CPU）。 8. 內(nèi)存需至少為DDR4 2666MHz 16GB內(nèi)存或更大容量的內(nèi)存。 9. 顯卡需至少為核心頻率：1830MHz、顯存6GB GDDR5,顯存頻率8000MHz，顯存位寬：192-bit的顯卡（例如：NVIDIA GeForce GTX 1660或更高性能的顯卡）。 10. 主板需支持Intel Coffee Lake LGA1151型處理器，需至少支持4條雙通道UDIMM插槽，支持DDR4 2133/2400/2666，內(nèi)存容量最高需達(dá)到64GB，需至少提供下述接口：1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的DB15 VGA顯示接口、1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的HDMI接口、1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)DP接口、7個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的7Pin SATA接口、6個(gè)COM插針接口、6個(gè)標(biāo)準(zhǔn)USB 3.0接口、8個(gè)USB 2.0接口（4個(gè)為后IO面板接口、1個(gè)為2x5Pin 2.54mm插針、2個(gè)為內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)USB2.0接口)、2個(gè)千兆以太網(wǎng)接口，2個(gè)PCI、2個(gè)PCIE X16（只插PCIE1時(shí)為X16資源、當(dāng)2個(gè)同時(shí)插上時(shí)為X8資源）、3個(gè)PCIE X4、1個(gè)MSATA接口、1個(gè)M.2(NVMe)接口、１個(gè)音頻接口（綠色的為Line-out、粉色的為Mic-in、藍(lán)色的為Line-in）、1個(gè)PS/2鍵盤鼠標(biāo)插針、1個(gè)2X5Pin JGP插針接口。 九、VR定位器套裝 1. VR定位器套裝是進(jìn)行虛擬現(xiàn)實(shí)實(shí)景操作類實(shí)驗(yàn)所必不可少的硬件設(shè)施，主要用于虛擬場景定位、捕捉和實(shí)時(shí)反饋，該套裝需至少包括：定位器1個(gè)，電源線1個(gè)、固定支架和配件1套。 2. 該定位器需采用激光定位方法定位。 3. 該定位器需提供360度移動(dòng)追蹤功能。 4. 該定位器需最大支持15英尺x15英尺的空間物理追蹤能力。 5. 該定位器需具備無線同步功能。 十、虛實(shí)聯(lián)動(dòng)系統(tǒng)顯示設(shè)備 1. 尺寸：75英寸及以上
2. 分辨率：3840*2160
3. 屏幕刷新率：60Hz
4. 曲率：平面
5. 面板：其他
6. 接口：USB擴(kuò)展/充電，HDMI。 7. 包含：移動(dòng)落地掛架和HDMI數(shù)據(jù)線。 |
